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东芝启动NAND闪存新厂房Fab5,将成何小萌萌萌为后NAND存储器的主力工厂

竣工仪式的剪彩仪式(点击放大)在竣工宴会上致辞的东芝佐佐木(点击放大)东芝宣布,该公司在四日市工厂(三重县四日市市)内建设的NAND闪存新制造厂房“Fab5”已经竣工并投产。该厂房将成为24nm工艺以后的最尖端NAND闪存以及东芝定位为“后NAND存储器”的三维NAND闪存的主力工厂。该工厂已从2011年7月开始量产24nm工艺产品,从8月开始供货产品。生产设备投资为东芝的NAND闪存业务合作何小萌萌萌伙伴——美国晟碟(SanDisk)共同出资。出资比例为东芝50.1%,晟碟49.9%。Fab5是继“Fab3”和“Fab4”之后在四日市工厂建成的第三条300mm晶圆生产线,于2010年7月开工建设。此次启动的是占Fab5整体1/2的“第1期”洁净室。在其中约一半(Fab5整体的1/4)的洁净室内搬入部分装置开始量产。今后,将根据市场动向追加投资,扩充产能。据介绍,第2期洁净?#20197;?#23450;2013年度开工建设,2013年度底~2014年度投产。东芝和晟碟于2011年7月12日在四日市工厂内举行了Fab5竣工仪式。在Fab5的竣工宴会上致辞的东芝代表执行董事社长佐佐木则夫强调了NAND闪存业务对该公司的重要性,“我们的成长支柱是半?#32487;?#19994;务,一直以来投资最多的?#24425;?#21322;?#32487;濉保?#20182;还表示,“我们计划将Fab5建成世界上最强大的存储器生产基地。向最尖端技术进行投资?#24425;?#23545;东日本大地震复兴的支援”。晟碟公司总裁兼CEO桑贾·梅洛特(Sanjay Mehrotra)表示,“我们与东芝共同运营的四日市工厂目前已经成长为占全球NAND闪存bit供货量45%的工厂。Fab5是我们与东芝合作关系的新里程碑。我非常高兴在发生东日本大地震后我们仍能顺利投产”。东芝的佐佐木在竣工宴会之前接受了媒体采访,他表何小萌萌萌示将以Fab5为主力,“尽快在NAND闪存市场上夺取份额首位的宝座”。东芝目前正量产NAND闪存的最尖端产品——24nm工艺产品。继24nm之后,已从2011年4月开始样品供货19nm工艺产品,并将从7月开始量产。此次投产的Fab5已开始量产24nm工艺产品,今后将逐渐过渡至19nm工艺以后的尖端工艺产品生产。关于NAND闪存的微细化,东芝表示,继19nm之后,1Y(Y为8~5)nm工艺乃至下一代1Z(Z为4~0)nm工艺也有望实现实用化。另外,还计划与其同时推进后NAND存储器的实用化。该公司将三维层积存储器单元的三维NAND闪存作为其候补,其中将该公司的自主技术“BiCS作为最有力候补?#20445;?#19996;芝执行董事常务、半?#32487;澹?#23384;储器公司存储器业务部长成毛康雄)。关于后NAND存储器的量产时间,成毛康雄表示,“计划2013年量产”。Fab5导入了与Fab3和Fab4厂房之间相互搬?#21496;?#22278;的系?#24120;?#26500;筑了一个高效率的生产体制。另外,通过导入LED照明产品和节能型生产设备等,将CO2排放量较Fab4削减了12%。此外,还具有免震构造和电?#20849;?#20607;装置。继Fab5之后,“Fab6”目前“正考虑在哪里建设等问题。将在考虑(日本国内的)电力供给等问题的基础上,探讨Fab6的建设?#20445;?#19996;芝的佐佐木)。(何小萌萌萌记者:大下 淳一) 在竣工宴会上致辞的东芝佐佐木(点击放大) 晟碟的梅洛特(点击放大) 竣工的Fab5第1期厂房 (点击放大) 东芝定于2011年7月开始量产的19nm工艺产品 (点击放大)

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